基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（二）

在《基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（一）》中讨论了Flash的擦除问题，这里再和大家交流一下Flash烧写的问题。
    对Flash的烧写，和前一个帖子所讨论的问题一样，首现应将SDRAM映射出来，然后编写一段烧写程序，下载到SDRAM中，同时将待烧写的内容，也下载到SDRAM中的某个区域，然后执行烧写程序，就可将待烧写的内容写入Flash中。
    javascript:window.open(this.src);" style="CURSOR: pointer" onload="return imgzoom(this,550)">仍然以上一贴的硬件平台为例，在ADS中打开命令窗口，执行如下命令：
     >obey c:mymap.txt
   此时，2MB的Flash存储器和16MB的SDRAM已分别映射到地址空间的0x0000,0000～（0x0020,0000-1）和0x0040,0000～（0x0140,0000-1）处。
   编写一个Flash的烧写程序，由Init.s文件和Main.c文件构成。

   Init.s文件的代码如下： 

   IMPORT Main
   AREA    Init,CODE,READONLY

   ENTRY
   BL Main
   B .
   END

   Main.c文件的代码如下：

#define ULCON0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD000) //UART channel0 line control register
#define UCON0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD004) //UART channel0 control register
#define USTAT0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD008) //UART channel0 status register
#define UTXBUF0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD00c) //UART channel0 transimit holding register
#define URXBUF0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD010) //UART channel0 recieve buffer register
#define UBRDIV0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD014) //Baud rate divisor register0


#define AM_WORD_COUNT (64*1024)/2     //此处决定待烧写文件的大小，在此为64KB

#define UINT16 unsigned short
#define AM_START_ADDR          0x0000000     
#define AM_ADDR_UNLOCK1        0x555
#define AM_ADDR_UNLOCK2        0x2aa
#define AM_DATA_UNLOCK1        0xaaaa
#define AM_DATA_UNLOCK2        0x5555
#define AM_SETUP_WRITE         0xa0a0
#define AM_SETUP_ERASE         0x8080
#define AM_CHIP_ERASE          0x1010
#define AM_SECTOR_ERASE     0x3030

#define AM_RESET     0xf0f0

void Delay(unsigned int);

void InitUART(int Port,int Baudrate);
void PrintUART0(char *s);

int Main()
{



volatile UINT16 *from_add,*to_add;
int i;
InitUART(0,0x500);
PrintUART0("ARM Starting...n");

to_add= (UINT16 *)0x0;
from_add=(UINT16 *)0x500000;
for(i=0;i<AM_WORD_COUNT;i++)
{*((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR + AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_DATA_UNLOCK1;       
*((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR + AM_ADDR_UNLOCK2) = AM_DATA_UNLOCK2;
*((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR + AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_SETUP_WRITE;     
   *to_add++ =*from_add++ ;
PrintUART0("P");}
PrintUART0("Flash Programe Sucessfully!!!n");
return 0;
}

void PrintUART0(char *s)
{
for(;*s!='';s++)
{while(!(USTAT0&0x40));
UTXBUF0=*s;}
}


void InitUART(int Port,int Baudrate)
{
if(Port==0)
{ULCON0=0x03;
UCON0=0x09;
UBRDIV0=Baudrate;   
}
}


void Delay(unsigned int x)
{
unsigned int i,j,k;
for(i=0;i<=x;i++)
for(j=0;j<0xff;j++)
for(k=0;k<0xff;k++);
}


     在该烧写程序中，首先初始化了一个串行口，在烧写的过程中可以向串口发送信息，以便我们了解烧写的过程。
     建立一个工程文件，包含以上两个文件。
     由于要将该程序放在SDRAM中运行，而根据前面的映射，SDRAM的起始地址为0x0040,0000，所以要修改连接器的选项，将代码的装入地址改为0x400000（默认为0x8000）。
    编译生成可执行映象文件，装入系统的SDRAM（0x0040,0000处），暂时先不要运行。
    该程序的作用就是将放在SDRAM中地址为0x50,0000处的内容写入Flash，所以，在运行之前应将待烧写的内容放在起始地址为0x50,0000的SDRAM中。
    在AXD中打开File->Load Memory From File选项，选择待烧写的二进制文件，注意将装载地址改为0x50,0000，与程序对应。
    点击“确定”按钮，就可将文件下载到起始地址为0x50,0000的SDRAM中。
    此时，再来执行已下载的烧写程序，就可将待烧写的内容写入到起始地址为0x0的Flash中。

原文转自：http://www.ltesting.net